Flash存儲器（Flash Memory）是一種非易失性內存器件，斷電后可長期保存數據。其主要分為NOR和NAND兩類技術：Norflash由Intel于1988年推出，支持直接執行代碼，讀取速度快，適用于嵌入式系統等小容量代碼存儲場景；NAND Flash由dongzhi于1989年提出，存儲密度高、，擦寫速度快，適用于（SSD）、U盤等大容量數據存儲領域.

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冉半導體（Puya）作為中國的芯片供應商，專注于低功耗、高性的SPI NOR Flash和IC EEPROM芯片的研發與制造。其產品采用的SONOS和ETOX雙工藝架構，覆蓋從512Kbit到128Mbit的容量范圍，支持1.65V-3.6V的操作電壓，具備低功耗、快速擦除與讀取等性能優勢，并通過AEC-Q100車規認證，適用于汽車電子等高性場景。憑借多樣化的封裝形式和表現，普冉的NOR Flash廣泛應用于消費電子、汽車電子、工業控制和5G基站等領域，滿足不同客戶的需求。在NOR Flash市場中，普冉半導體近年來表現亮眼。2024年季度，公司營收達到13.66億元，同比增長78.13%。憑借技術和市場拓展的雙重驅動，普冉已成為行業的重要力量，并有望在未來實現多突破。